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等離子FIB和無漏磁超高分辨場發(fā)射掃描電鏡的完美結合，無限擴展在材料表征領域的應用

TESCAN AMBER X 是完美結合了分析型等離子FIB和超高分辨（UHR）掃描電鏡的綜合分析平臺，能夠同時提供高效率、大面積樣品刻蝕，多模態(tài)的樣品表征，以及在無鎵注入干擾狀態(tài)下進行樣品制備和改性。 TESCAN AMBER X 具備快速精確的等離子體FIB刻蝕和無漏磁超高分辨SEM成像的特性，使其成為多項研究的理想方案，例如快速制備出寬度可達1 毫米的截面; 高通量、多模態(tài)的FIB-SEM斷層掃描，可快速獲得三維重建圖像和可視化數(shù)據(jù); 元素化學和/或晶體取向研究; 無注入離子干擾狀態(tài)下制備出微米和納米結構，以便通過其它分析方法進行后續(xù)測試或表征等。

主要特性

iFIB+ 氙等離子FIB鏡筒?
最大離子束流可達1 μA， 可實現(xiàn)超高刻蝕速率
分辨率 : < 15 nm
超大視野：1 mm @ 30 keV
快速精確的壓電驅動光闌變換器

BrightBeam? 超高分辨SEM鏡筒技術?
無漏磁超高分辨SEM鏡筒可以最大程度實現(xiàn)各類樣品的分析和表征
分辨率：1.5 nm @ 1kV
優(yōu)化的鏡筒內探測器系統(tǒng)，進一步提高了探測能力
光闌優(yōu)化提升了分辨率，特別是在高束流下分辨率

新的 Essence? 電鏡軟件和用戶界面?
用戶界面友好
可定制化的布局

應用

刻蝕和拋光大橫截面
在3.5小時內完成寬度達1 mm橫截面的刻蝕， 然后使用TESCAN專有的搖擺樣品臺，以較小的離子束流拋光橫截面，這樣可以抑制”幕簾效應“（curtaining），同時還可以在刻蝕過程中原位監(jiān)控橫截面質量。

FIB-SEM斷層掃描?
AMBER X 是多尺度、多模態(tài)微結構表征的理想選擇。這款等離子FIB支持快速地刻蝕和拋光樣品。TESCAN用于靜態(tài)3D EBSD數(shù)據(jù)采集的技術和嵌入式FIB-SEM層析成像模塊，可以支持各種成像和分析探測器，增加了實用性，使斷層掃描技術可以快速、精確且便捷地應用于各類材料的分析。

無鎵干擾狀態(tài)下的樣品制備?
傳統(tǒng)鎵離子 FIB加工時由于鎵離子污染或注入可能導致的微觀結構和/或機械性能改變。氙是一種惰性元素，所以可以實現(xiàn)對鋁等材料進行無污染的樣品制備和加工。